CM7N65PDX100-SiC Mosfet-650V-7A-PDFN5x6

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CM7N65PDX100

类目：SiC Mosfet

封装：PDFN5x6

极性：N

漏源电压：650V

连续漏极电流：7A

导通电阻：540mΩ

阈值电压：-

起订量：5000

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商品介绍

CM7N65PDX100-SiC Mosfet, PKG: PDFN5x6, Polarity: N, VDS: 650V, lD: 7A, Rds: 540mΩ, MOQ: 5000. 可提供规格书和测试样品，留言或联系我们咨询价格和交期详情. 应用领域：LED电源、PD快充、驱动IC合封.

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