碳化硅MOS-珠海超星半导体有限公司

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类目：20~250V

封装：TO-252

极性：P

漏源电压VDS：-100V

连续漏极电流lD：-18A

电阻Rds@10V：62~90mΩ

电阻Rds@4.5V：70~100mΩ

阈值电压VGS(th)：-2V

栅源电压VGS：±20V

起订量：2500

ESD保护：-

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类目：20~250V

封装：TO-252

极性：P

漏源电压VDS：-100V

连续漏极电流lD：-30A

电阻Rds@10V：52~62mΩ

电阻Rds@4.5V：60~75mΩ

阈值电压VGS(th)：-2V

栅源电压VGS：±20V

起订量：2500

ESD保护：-

替代参考：-

应用方案：-

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类目：20~250V

封装：TO-252

极性：P

漏源电压VDS：-60V

连续漏极电流lD：-28A

电阻Rds@10V：40~55mΩ

电阻Rds@4.5V：50~65mΩ

阈值电压VGS(th)：-1.5V

栅源电压VGS：±20V

起订量：2500

ESD保护：-

替代参考：-

应用方案：-

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类目：20~250V

封装：TO-252

极性：P

漏源电压VDS：-60V

连续漏极电流lD：-50A

电阻Rds@10V：21~25mΩ

电阻Rds@4.5V：25~32mΩ

阈值电压VGS(th)：-1.5V

栅源电压VGS：±20V

起订量：2500

ESD保护：-

替代参考：-

应用方案：-

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类目：20~250V

封装：TO-252

极性：P

漏源电压VDS：-60V

连续漏极电流lD：-80A

电阻Rds@10V：16~19mΩ

电阻Rds@4.5V：18~25mΩ

阈值电压VGS(th)：-1.5V

栅源电压VGS：±20V

起订量：2500

ESD保护：-

替代参考：-

应用方案：-

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类目：20~250V

封装：TO-252

极性：P

漏源电压VDS：-40V

连续漏极电流lD：-20A

电阻Rds@10V：42~50mΩ

电阻Rds@4.5V：52~70mΩ

阈值电压VGS(th)：-1.5V

栅源电压VGS：±20V

起订量：2500

ESD保护：-

替代参考：-

应用方案：-

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类目：20~250V

封装：TO-252

极性：P

漏源电压VDS：-40V

连续漏极电流lD：-70A

电阻Rds@10V：7.5~10mΩ

电阻Rds@4.5V：-

阈值电压VGS(th)：-1.9V

栅源电压VGS：±20V

起订量：2500

ESD保护：-

替代参考：-

应用方案：-

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类目：20~250V

封装：TO-252

极性：P

漏源电压VDS：-60V

连续漏极电流lD：-20A

电阻Rds@10V：65~80mΩ

电阻Rds@4.5V：80~115mΩ

阈值电压VGS(th)：-1.8V

栅源电压VGS：±20V

起订量：2500

ESD保护：-

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