珠海超星半导体有限公司

精于毫厘，成就芯片：HyperSemi 晶圆减薄与划片解决方案

       在半导体制造的后道关键工序中，晶圆的减薄与划片直接决定了芯片的物理强度、封装良率与最终性能。HyperSemi凭借先进的工艺设备、深厚的经验积累与严格的质量控制，为客户提供高精度、高可靠性的晶圆减薄（Wafer Thinning）与划片（Dicing）加工服务，是您从晶圆到芯片（Wafer to Die）值得信赖的伙伴。

核心工艺详解

1. 晶圆减薄加工服务
       随着移动设备、穿戴式电子产品对轻薄短小的极致追求，以及三维堆叠（3D IC）等先进封装技术的发展，晶圆减薄已成为不可或缺的环节。我们将您的晶圆研磨至所需的精确厚度，同时最大化保持其机械完整性与电学特性。

• 工艺范围：我们可处理6英寸、8英寸及12英寸晶圆，常规减薄厚度范围从100μm至500μm，并对特定需求提供超薄减薄能力（如50μm以下），满足最严苛的先进封装需求。

• 技术要点：

• 临时键合/解键合：对于超薄晶圆，我们采用先进的临时键合与解键合系统，使用紫外光或热滑移等工艺，在减薄和背面金属化过程中为脆弱晶圆提供坚实支撑，确保高良率。

• 阶梯减薄与背面金属化：我们可实现晶圆背面的局部阶梯减薄，并为需要背面接地的器件提供高质量的背面金属化（如金、银、铜）服务。

• 应力控制：通过优化研磨参数、采用精抛光（CMP）或干式抛光（Dry Polish）等工艺，有效减少减薄后晶圆表面的机械应力与微裂纹，提升芯片的机械强度与长期可靠性。

2. 晶圆划片加工服务
       划片是将整片晶圆分离成单个独立芯片（Die）的关键步骤。划片质量直接影响芯片的边缘完整性、崩边（Chipping）程度以及后续贴装的良率。

• 切割技术：

• 刀片切割（Blade Dicing）：对于大多数材料（如硅、砷化镓），我们使用高精度金刚石刀片进行切割。通过优化刀片型号、转速、进给速度及冷却液参数，我们将崩边尺寸控制在极低水平（通常<10μm）。

• 激光切割（Laser Dicing）：对于易碎材料（如玻璃、蓝宝石、低k介质晶圆）、需要隐形切割（Stealth Dicing）或超窄街道的应用，我们提供先进的激光切割方案。该技术热影响区小，能实现更洁净的切割面，尤其适合对崩边和污染极度敏感的高端器件。

• 贴膜与清洗：我们提供专业的晶圆贴膜（Dicing Tape）与划片后清洗服务，确保芯片在运输和拾取前的洁净度与稳定性。

我们的核心优势

• 超薄加工与无损伤划片：具备成熟的超薄晶圆（<100μm）全流程处理能力，配合优化的切割工艺，实现近乎“零损伤”的芯片分离。

• 全流程自主工艺控制：从来料检验、工艺参数设定到最终出货检验，全流程自主控制，确保工艺一致性与可追溯性。

• 定制化服务方案：我们理解每款芯片的独特性。工程师团队将与您密切沟通，根据您的芯片材质、结构、厚度及最终应用，量身定制最优的减薄与划片工艺方案。

• 快速响应与专业支持：我们提供灵活的服务周期和透明的进度沟通，专业的工艺工程师团队随时为您提供技术咨询与问题解决方案。

品质保障体系

       我们所有的加工作业均在高标准洁净室中进行。采用在线检测系统对关键尺寸（厚度、TTV）、表面缺陷及崩边进行实时监控，并实施严格的统计过程控制（SPC），确保每一片托付于我们的晶圆都能获得稳定、高品质的加工结果。

应用领域：移动通信芯片、功率器件、MEMS传感器、射频器件、 CIS图像传感器、存储芯片及各类先进封装（Flip-Chip， Fan-Out， 3D IC）产品。

欢迎联系我们的工艺服务团队，获取详细的技术资料与报价，让我们以精密的工艺，守护您芯片的卓越价值。