CM62N120SEX100-SiC Mosfet-1200V-62A-TO-263-7L

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CM62N120SEX100

类目：SiC Mosfet

封装：TO-263-7L

极性：N

漏源电压：1200V

连续漏极电流：62A

导通电阻：40mΩ

阈值电压：3.1V

起订量：1000

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商品介绍

CM62N120SEX100-SiC Mosfet, PKG: TO-263-7L, Polarity: N, VDS: 1200V, lD: 62A, Rds: 40mΩ, MOQ: 1000. 可提供规格书和测试样品，留言或联系我们咨询价格和交期详情. 应用领域：车载OBC.

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