CM60N120L4X100-SiC Mosfet-1200V-60A-TO-247-4L

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CM60N120L4X100

类目：SiC Mosfet

封装：TO-247-4L

极性：N

漏源电压：1200V

连续漏极电流：60A

导通电阻：40mΩ

阈值电压：-

起订量：50

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商品介绍

CM60N120L4X100-SiC Mosfet, PKG: TO-247-4L, Polarity: N, VDS: 1200V, lD: 60A, Rds: 40mΩ, MOQ: 50. 可提供规格书和测试样品，留言或联系我们咨询价格和交期详情. 应用领域：充电桩、逆变器、电磁炉.

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